一种导电聚合物基仿生忆阻器及其制备方法
公开
摘要
本发明公开了一种导电聚合物基仿生忆阻器及其制备方法，通过引入PEDOT:PSS/AlOx的有机‑无机杂化界面或PEDOT:PSS/Pentacene有机‑有机界面，构建一种由富含离子的半导体层和离子收集导电层组成的聚合物忆阻器结构，改进了有机忆阻器的开关功耗及稳定性，使其拥有生物突触响应。本发明的忆阻器结构从下往上依次为底电极氧化铟锡ITO、经过低温退火的PEDOT:PSS有机功能层、无机阻变层非化学计量比AlOx或有机阻变层并五苯Pentacene、顶电极金属Al，形成结构为ITO/PEDOT:PSS/AlOx/Al或结构为ITO/PEDOT:PSS/Pentacene/Al的忆阻器器件。本发明用于实现多级开关特性并改进了开关功耗（1.2μw），可应用于突触塑性功能模拟，为低功耗应用场景和神经形态计算提供了可能。
基本信息
专利标题 ：
一种导电聚合物基仿生忆阻器及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114613907A
申请号 ：
CN202210268314.4
公开（公告）日 ：
2022-06-10
申请日 ：
2022-03-18
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
罗希良凌海峰明建宇高锦程葛益璋解令海黄维
申请人 ：
南京邮电大学
申请人地址 ：
江苏省南京市鼓楼区新模范马路66号
代理机构 ：
南京正联知识产权代理有限公司
代理人 ：
卢霞
优先权 ：
CN202210268314.4
主分类号 ：
H01L45/00
IPC分类号 ：
H01L45/00
法律状态
2022-06-10 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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