本发明提供了一种仿生神经元忆阻器及其制备方法，涉及仿生神经元技术领域，包括衬底、平行对电极和介质层；所述平行对电极和所述介质层均设置在所述衬底上；所述平行对电极包括正电极层和负电极层，所述介质层设置于所述正电极层和所述负电极层之间；所述介质层采用晶格中含有低激活能离子的半导体材料；所述介质层中的晶格存在两种低激活能离子，在电场驱动下，两种低激活能离子受电场调控，分别向正负两极移动，用于模拟神经元在受到刺激时膜内外钠钾离子输运变化产生的膜电位变化过程。本发明能够在无需搭建外围电路的情况上，实现模拟神经元膜电位变化、神经元累计发射现象和神经元不应期行为。