一种完全消除衬底辅助耗尽效应的半导体场效应管
公开
摘要
本发明涉及场效应晶体管技术领域，公开了一种完全消除衬底辅助耗尽效应的半导体场效应管，包括P型衬底，P型衬底的上方为超结，P型衬底的右上方为N型缓冲层，N型缓冲层的右上方为漏N重掺杂区，漏N重掺杂区使漏电极与N型缓冲层和包含超结P柱和超结N柱的超结形成欧姆接触，P型衬底的左上方为P型重掺杂区，P型重掺杂区右侧形成P阱，在P阱中形成源N型重掺杂区，源电极、栅电极和漏电极分布在整个器件的上表面。本发明通过使衬底与超结的表面电场分布趋于一致，消除衬底辅助耗尽效应的不利影响，提升器件的导通特性，提高器件击穿电压，同时也能有效地减弱从超结流向衬底的泄漏电流，且能使器件更接近理想超结的理论极限。
基本信息
专利标题 ：
一种完全消除衬底辅助耗尽效应的半导体场效应管
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114613858A
申请号 ：
CN202210290824.1
公开（公告）日 ：
2022-06-10
申请日 ：
2022-03-23
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
朱顺威贾护军张云帆王欢杨银堂
申请人 ：
西安电子科技大学
申请人地址 ：
陕西省西安市雁塔区太白南路2号
代理机构 ：
西安瀚汇专利代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
章冬霞
优先权 ：
CN202210290824.1
主分类号 ：
H01L29/78
IPC分类号 ：
H01L29/78 H01L29/06 H01L29/10
法律状态
2022-06-10 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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