杂质的扩散方法
被视为撤回的申请
摘要
用于将诸如锌一类的杂质选择扩散进到诸如砷化镓(GaAs)一类的化合物半导体基片的方法。该方法是这样使用扩散掩模的：即，使在扩散掩模和半导体基片之间的界面处的含氧层的厚度小于20，从而可以抑制往往发生在半导体表面上扩散掩模开口附近界面的异常的横向扩散，因此增加了杂质扩散图形的精度。
基本信息
专利标题 ：
杂质的扩散方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN85109319A
申请号 ：
CN85109319
公开（公告）日 ：
1986-09-10
申请日 ：
1985-11-26
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
和田胜加藤洋二
申请人 ：
索尼公司
申请人地址 ：
日本东京品川区北品川6丁目7番35号
代理机构 ：
中国专利代理有限公司
代理人 ：
肖春京
优先权 ：
CN85109319
主分类号 ：
H01L21/22
IPC分类号 ：
H01L21/22 H01L21/38
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/22
杂质材料的扩散，例如在半导体或半导体的交界区掺入或析出掺杂材料，电极材料；杂质材料的再分配，例如，不引入或去除过多的掺杂剂
法律状态
1988-06-15 ：
被视为撤回的申请
1986-09-10 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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