铁硅铝合金磁膜及其制造方法和用途

专利权的终止未缴年费专利权终止

摘要

本发明涉及铁硅铝合金磁膜及其制造方法和叠层薄膜磁头，所述磁膜有一基底和在其上形成的铁硅铝合金膜，所述基底的热膨胀系数比上述铁硅铝含金膜的低，将上述合金膜的氩含量控制在0.01至0.3％重量比的范围内，以使膜中的内应力基本为零。通过过用DC溅射装置向基底提供RF偏压并控制组分的重量比来淀积上述磁膜。用本发明的磁膜制造的叠层薄膜磁头具有矫顽力低、导磁率高的良好磁性能。

基本信息

专利标题：

铁硅铝合金磁膜及其制造方法和用途

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN86106790A

申请号：

CN86106790.8

公开（公告）日：

1987-07-15

申请日：

1986-10-07

授权号：

CN1006831B

授权日：

1990-02-14

发明人：

斋藤和宏森泰一

申请人：

日本矿业株式会社

申请人地址：

日本东京

代理机构：

中国国际贸易促进委员会专利代理部

代理人：

王以华

优先权：

CN86106790.8

主分类号：

H01F10/14

IPC分类号：

H01F10/14 H01F10/26 H01F41/18 G11B5/31