沉积垂直方向电阻的方法
专利权的终止未缴年费专利权终止
摘要
经过改良的、用于MOS集成电路的电阻。在一层隔离两个导电区域的绝缘层里开一个孔。通过等离子增强的化学气相沉积法，如同富硅氮化物的钝化材料便被沉积在该窗口之中，该沉积物与两个导电区都接触、从而在这两区之间形成垂直方向的电阻。
基本信息
专利标题 ：
沉积垂直方向电阻的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN86107982A
申请号 ：
CN86107982.5
公开（公告）日 ：
1987-08-12
申请日 ：
1986-11-28
授权号 ：
CN1005880B
授权日 ：
1989-11-22
发明人 ：
利澳波多·D·邱陈士欧林义雄
申请人 ：
英特尔公司
申请人地址 ：
美国加利福亚州
代理机构 ：
中国专利代理有限公司
代理人 ：
吴增勇
优先权 ：
CN86107982.5
主分类号 ：
H01L21/205
IPC分类号 ：
H01L21/205 H01L21/70 H01L27/01
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/20
半导体材料在基片上的沉积，例如外延生长
H01L21/205
应用气态化合物的还原或分解产生固态凝结物的，即化学沉积
法律状态
1995-01-18 ：
专利权的终止未缴年费专利权终止
1990-08-08 ：
授权
1989-11-22 ：
审定
1988-10-26 ：
实质审查请求
1987-08-12 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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