半导体陶瓷组合物
专利权的终止未缴年费专利权终止
摘要
用于还原再氧化型半导体陶瓷电容器的半导体陶瓷组合物，这组合物能提高电容器的电容，绝缘强度并能改善电容器的温度特性，组合物包括BaTiO3基体组分和包含Nb和Ce的少量组分Nb和Ce的含量分别按Nb2O3和CeO2计算为0.1到3.0％(摩尔)。用添加Co等元素的方法来提高电容器的绝缘电阻和直流击穿电压并进一步改善电容器的温度特性。
基本信息
专利标题 ：
半导体陶瓷组合物
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN87105843A
申请号 ：
CN87105843.X
公开（公告）日 ：
1988-03-23
申请日 ：
1987-08-11
授权号 ：
CN1009873B
授权日 ：
1990-10-03
发明人 ：
小野秀一矢作正博板垣秋一菊地信明
申请人 ：
TDK株式会社
申请人地址 ：
日本东京都
代理机构 ：
中国专利代理有限公司
代理人 ：
罗才希
优先权 ：
CN87105843.X
主分类号 ：
H01B3/12
IPC分类号 ：
H01B3/12 C04B35/46 H01G4/12
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01B
电缆；导体；绝缘体；导电、绝缘或介电材料的选择
H01B3/00
按绝缘材料的特性区分的绝缘体或绝缘物体；绝缘或介电材料的性能的选择
H01B3/02
主要由无机物组成的
H01B3/12
陶瓷
法律状态
2004-10-06 ：
专利权的终止未缴年费专利权终止
2002-03-20 ：
其他有关事项
1991-06-19 ：
授权
1990-10-03 ：
审定
1989-11-29 ：
实质审查请求
1988-03-23 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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