一种PTC半导体陶瓷组合物及其制造方法
专利权的终止未缴年费专利权终止
摘要
本发明公开了一种PTC半导体陶瓷组合物及制造方法。其特征在于组合物中施主采用协同效应较好的钇(Y)和锑(Sb)，主成分采用化学(草酸盐)液相共沉制备的超细原料Ba(TiO)(C2O4)2·4H2O与市售BaCO3+PbO+TiO2(Pb＝0～0.05)复配而成，施主、受主、液相添加剂全部与主成分同时一次加入。本发明具有工艺简单，化学计量比准确性高，制成元件综合电性能、一致性、重复性好。
基本信息
专利标题 ：
一种PTC半导体陶瓷组合物及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1031150A
申请号 ：
CN88103610.2
公开（公告）日 ：
1989-02-15
申请日 ：
1988-06-13
授权号 ：
CN1010816B
授权日 ：
1990-12-12
发明人 ：
蒋国屏谢成志
申请人 ：
江苏省宜兴陶瓷公司研究所
申请人地址 ：
江苏省宜兴市丁蜀镇公园路
代理机构 ：
代理人 ：
优先权 ：
CN88103610.2
主分类号 ：
H01C7/02
IPC分类号 ：
H01C7/02 C04B35/46
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01C
电阻器
H01C7/00
用一层或多层薄膜或涂敷膜构成的不可调电阻器；由含或不包含绝缘材料的粉末导电材料或粉末半导体材料构成的不可调电阻器
H01C7/02
具有正温度系数的
法律状态
1993-04-28 ：
专利权的终止未缴年费专利权终止
1991-08-28 ：
授权
1990-12-12 ：
审定
1990-04-11 ：
实质审查请求
1989-02-15 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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