半导体陶瓷的组成
专利权的终止未缴年费专利权终止
摘要
边界绝缘型半导体陶瓷电容器用的一种半导体陶瓷的组成，能使该电容器呈观有所增加的介电常数、令人满意的频率特性和温度特性以及有所降低的介质损耗。该组成包括SrTiO3基本组分和由CaTiO3、Y和Nb组成的次要组分。该组成还含Mn和SiO2。它们分别能增加电容器的绝缘电阻和扩大(SrO+CaO)/TiO的适用范围。此外，还有一种组成包含SrTlO3基本组分和由CaTiO3、BaTiO3 Y和Nb组成的次要组分。
基本信息
专利标题 ：
半导体陶瓷的组成
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN87106154A
申请号 ：
CN87106154.6
公开（公告）日 ：
1988-03-16
申请日 ：
1987-09-02
授权号 ：
CN1010352B
授权日 ：
1990-11-07
发明人 ：
小野秀一板垣秋一矢作正博
申请人 ：
TDK株式会社
申请人地址 ：
日本东京都
代理机构 ：
中国专利代理有限公司
代理人 ：
肖掬昌
优先权 ：
CN87106154.6
主分类号 ：
H01B3/12
IPC分类号 ：
H01B3/12 C04B35/46
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01B
电缆；导体；绝缘体；导电、绝缘或介电材料的选择
H01B3/00
按绝缘材料的特性区分的绝缘体或绝缘物体；绝缘或介电材料的性能的选择
H01B3/02
主要由无机物组成的
H01B3/12
陶瓷
法律状态
2000-11-01 ：
专利权的终止未缴年费专利权终止
1991-07-24 ：
授权
1990-11-07 ：
审定
1989-12-20 ：
实质审查请求
1988-03-16 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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