铌三锡高场导体的制备方法
专利权的终止未缴年费专利权终止
摘要
本发明是铌管富锡法制备Nb3Sn高场导体方法的改进，属于超导导体的加工工艺，本发明通过同时将第三元素Ti和第四元素Mg加入到Nb材和母材中，明显改盖了Nb3Sn导体在0-20特拉斯整个实用磁场范围的载流能力。
基本信息
专利标题 ：
铌三锡高场导体的制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1034088A
申请号 ：
CN88105619.7
公开（公告）日 ：
1989-07-19
申请日 ：
1988-12-23
授权号 ：
CN1013905B
授权日 ：
1991-09-11
发明人 ：
何牧
申请人 ：
中国科学院上海冶金研究所
申请人地址 ：
上海市长宁区长宁路865号
代理机构 ：
中国科学院上海专利事务所
代理人 ：
季良赳
优先权 ：
CN88105619.7
主分类号 ：
H01B12/00
IPC分类号 ：
H01B12/00
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01B
电缆；导体；绝缘体；导电、绝缘或介电材料的选择
H01B12/00
超导或高导导体、电缆或传输线
法律状态
1996-02-07 ：
专利权的终止未缴年费专利权终止
1992-05-20 ：
授权
1991-09-11 ：
审定
1989-07-19 ：
公开
1989-06-28 ：
实质审查请求
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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