场板的制备方法
授权
摘要
本申请公开了一种场板的制备方法，包括：在衬底上形成栅氧化层；在栅氧化层的表面形成氮化层；在氮化层的表面形成第一介质层，在第一介质层的表面形成第二介质层；通过干法刻蚀工艺去除目标区域的第二介质层和预定深度的第一介质层，目标区域是场板对应的区域；通过湿法刻蚀工艺去除目标区域的剩余的第一介质层和氮化层，以及剩余的第二介质层，目标区域剩余的栅氧化层形成所述场板。本申请通过在衬底上形成栅氧化层后，在栅氧化层的表面形成氮化层，该氮化层可在后续的湿法刻蚀工序中作为栅氧化层的刻蚀阻挡层，从而在湿法刻蚀工序后得到稳定厚度的场板，进而增加了器件的稳定性。
基本信息
专利标题 ：
场板的制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN111524800A
申请号 ：
CN202010277868.1
公开（公告）日 ：
2020-08-11
申请日 ：
2020-04-10
授权号 ：
CN111524800B
授权日 ：
2022-06-07
发明人 ：
于明道郭振强
申请人 ：
华虹半导体（无锡）有限公司
申请人地址 ：
江苏省无锡市新吴区新洲路30号
代理机构 ：
上海浦一知识产权代理有限公司
代理人 ：
黎伟
优先权 ：
CN202010277868.1
主分类号 ：
H01L21/28
IPC分类号 ：
H01L21/28 H01L29/40
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/28
用H01L21/20至H01L21/268各组不包含的方法或设备在半导体材料上制造电极的
法律状态
2022-06-07 ：
授权
2020-09-04 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/28
申请日 : 20200410
申请日 : 20200410
2020-08-11 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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