一种高应变半导体结构及其制备方法
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摘要
本发明提供一种高应变半导体结构及其制备方法，高应变半导体结构的复合有源层中，第一组分渐变层中的铟含量小于量子阱层中的铟含量且大于第一势垒层中的铟含量，第二组分渐变层中的铟含量小于量子阱层中的铟含量且大于第二势垒层中的铟含量；所述第一组分渐变层中若干第一子渐变层中的铟组分含量随着第一子渐变层的层数的增加满足高斯函数的递增区，所述第二组分渐变层中若干第二子渐变层中的铟组分含量随着第二子渐变层的层数的增加满足高斯函数的递减区；第一应力补偿层和第二应力补偿层中铟的含量为零；量子阱层、第一组分渐变层和第二组分渐变层用于激射光。降低高应变半导体结构的工艺难度和复杂度且提高生长质量。
基本信息
专利标题 ：
一种高应变半导体结构及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114094443A
申请号 ：
CN202210069124.X
公开（公告）日 ：
2022-02-25
申请日 ：
2022-01-21
授权号 ：
CN114094443B
授权日 ：
2022-04-12
发明人 ：
王俊肖垚陈湘榴邓国亮杨火木周昊王树同张弘张志成肖啸程洋苟于单廖新胜闵大勇李泉灵
申请人 ：
苏州长光华芯光电技术股份有限公司;四川大学
申请人地址 ：
江苏省苏州市高新区昆仑山路189号科技城工业坊-A区2号厂房-1-102、2号厂房-2-203
代理机构 ：
北京三聚阳光知识产权代理有限公司
代理人 ：
薛异荣
优先权 ：
CN202210069124.X
主分类号 ：
H01S5/34
IPC分类号 ：
H01S5/34 H01S5/343
法律状态
2022-04-12 ：
授权
2022-03-15 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01S 5/34
申请日 : 20220121
申请日 : 20220121
2022-02-25 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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