一种硅膜电容压力传感器及其制造方法
专利权的终止未缴年费专利权终止
摘要
本发明提供了一种平面嵌入式硅膜电容压力传感器及其制造方法。本发明的传感器的硅膜下面的空腔是从硅片的正面掏空硅体而形成的密封腔体，电容器的电极分别做在腔体内硅膜的下表面和腔体的底面上，电容器的上下电极和硅膜由绝缘介质所隔离和支撑。它是采用扩散或离子注入、外延，阳极氧化、腐蚀多孔硅、物理或化学气相淀积等技术制备的。其制备工艺与平面工艺兼容，易于集成与大批量生产，且成本低，器件性能好。
基本信息
专利标题 ：
一种硅膜电容压力传感器及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1058298A
申请号 ：
CN90104651.5
公开（公告）日 ：
1992-01-29
申请日 ：
1990-07-19
授权号 ：
CN1020526C
授权日 ：
1993-05-05
发明人 ：
涂相征李韫言
申请人 ：
涂相征;李韫言
申请人地址 ：
100009北京市东城区北河胡同14号
代理机构 ：
中国科学院专利事务所
代理人 ：
李泰敏
优先权 ：
CN90104651.5
主分类号 ：
H01L49/00
IPC分类号 ：
H01L49/00 H01L21/02 G01L1/14
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法律状态
1996-09-04 ：
专利权的终止未缴年费专利权终止
1993-05-05 ：
授权
1992-05-13 ：
实质审查请求已生效的专利申请
1992-01-29 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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