低电容大面积半导体光电检测器及光电检测系统
专利申请的视为撤回
摘要
公开一种提供低输出电容的大检测面积光电检测器件，光电检测系统使用该器件可降低噪声。该器件包含：单一导电类型的半导体材料的基体，邻近主要表面设置的相反导电型的大检测区和邻近同一表面设置并与检测区间隔开的第二导电型的显著较小的输出区。由一控制栅极下面电位的绝缘栅把检测区耦合到输出区。偏置输出区以反向置偏基体区的PN结，以同一极性的某一数值偏置栅极从而使沟道区保持在某一较小电位，使得浮动检测区处于比输出区小的电位，并与输出区容性去耦。
基本信息
专利标题 ：
低电容大面积半导体光电检测器及光电检测系统
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1052974A
申请号 ：
CN90110074.9
公开（公告）日 ：
1991-07-10
申请日 ：
1990-12-22
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
戴尔·马里厄斯·布朗杰拉尔德·约翰·米雄
申请人 ：
通用电气公司
申请人地址 ：
美国纽约州
代理机构 ：
中国专利代理有限公司
代理人 ：
郭伟刚
优先权 ：
CN90110074.9
主分类号 ：
H01L31/119
IPC分类号 ：
H01L31/119 H01L31/113 H01L27/14 G01J1/42
法律状态
1993-09-08 ：
专利申请的视为撤回
1991-07-10 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
