大电流多弧斑受控真空电弧蒸发源
专利权的终止未缴年费专利权终止
摘要
本发明涉及的大电流多弧斑受控真空电弧蒸发源，是真空电弧离子镀膜机的核心部件，由主弧电源、阴极、含电磁线路的磁路、水冷和点弧极组成，特点：主弧电源≥150A，电磁线圈为可调电流的电磁线圈，阴极为圆形阴极或复合阴极，在≥150A的大电弧电流和与之匹配的磁场下工作时，电弧弧根分裂为几个小弧斑，在几乎整个阴极表面上作多轨迹旋转，阴极表面烧蚀均匀，镀膜沉积速率提高2-3倍，采用环形阴极，横向磁场增加，弧斑旋转速度更高，能基本消除金属液滴，阴极材料利用率更高。
基本信息
专利标题 ：
大电流多弧斑受控真空电弧蒸发源
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1055774A
申请号 ：
CN91103541.9
公开（公告）日 ：
1991-10-30
申请日 ：
1991-06-01
授权号 ：
CN1029568C
授权日 ：
1995-08-23
发明人 ：
吴振华黄经筒游本章任侠
申请人 ：
中国科学院电工研究所
申请人地址 ：
100080北京市海淀区中关村北二条6号
代理机构 ：
中科专利代理有限公司
代理人 ：
王凤华
优先权 ：
CN91103541.9
主分类号 ：
C23C14/32
IPC分类号 ：
C23C14/32
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C14/00
通过覆层形成材料的真空蒸发、溅射或离子注入进行镀覆
C23C14/22
以镀覆工艺为特征的
C23C14/24
真空蒸发
C23C14/32
爆炸法；蒸发及随后的气化物电离法
法律状态
1997-07-16 ：
专利权的终止未缴年费专利权终止
1995-08-23 ：
授权
1991-10-30 ：
公开
1991-10-02 ：
实质审查请求已生效的专利申请
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
1、
CN1029568C.PDF
PDF下载
2、
CN1055774A.PDF
PDF下载
