管状阴极长电弧等离子体蒸发源
专利申请的视为撤回
摘要
一种管状阴极长电弧等离子体蒸发源，包括阳极壳体、阴极、半环形屏蔽及板套式屏蔽，阴极为可任意贯穿阳极壳体的通底或不通底的长柱管状体，阴极的上、下端均装有接线柱，阴极的空腔中注有冷却水，阴极的外部均套有半环形屏蔽及板套式屏蔽，蒸发量大，一个管状阴极相当于多个蒸发源，使现有镀膜装置的结构大大简化，节省了材料，降低了成本，使用起来很方便，是一种新型的蒸发源。
基本信息
专利标题 ：
管状阴极长电弧等离子体蒸发源
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1074247A
申请号 ：
CN92100027.8
公开（公告）日 ：
1993-07-14
申请日 ：
1992-01-08
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
王殿儒遇衍澄
申请人 ：
北京长城钛金技术联合开发公司
申请人地址 ：
100080北京市海淀区海淀路74号乙钛金楼
代理机构 ：
北京理工大学专利事务所
代理人 ：
付雷杰
优先权 ：
CN92100027.8
主分类号 ：
C23C14/32
IPC分类号 ：
C23C14/32
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C14/00
通过覆层形成材料的真空蒸发、溅射或离子注入进行镀覆
C23C14/22
以镀覆工艺为特征的
C23C14/24
真空蒸发
C23C14/32
爆炸法；蒸发及随后的气化物电离法
法律状态
1997-02-19 ：
专利申请的视为撤回
1995-06-07 ：
实质审查请求的生效
1993-07-14 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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