一种发射率现场测量的方法
专利权的终止未缴年费专利权终止
摘要
本发明提供了一种发射率现场测量的新方法。它是把经过调制的一定波长的辐射光束人射到被测物表面，采用相毓检波方法处理信号的辐射计接收被反射的调制辐射，再与发射率参考板的信号进行比较和运算，得到被测物的发射率。因辐射计对环境辐射和被测物的自身辐射完全不响应，故这种方法可在任何复杂的辐射环境下工作，也可对任何温度的物体进行发射率测量。通过控制人射辐射的光谱成分及辐射计的光谱响应，还可测量各种光谱及光谱范围的发射率。
基本信息
专利标题 ：
一种发射率现场测量的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1059205A
申请号 ：
CN91107415.5
公开（公告）日 ：
1992-03-04
申请日 ：
1991-05-30
授权号 ：
CN1021254C
授权日 ：
1993-06-16
发明人 ：
张才根李琦
申请人 ：
中国科学院上海技术物理研究所
申请人地址 ：
200083上海市中山北一路420号
代理机构 ：
中国科学院上海专利事务所
代理人 ：
高毓秋
优先权 ：
CN91107415.5
主分类号 ：
G01N21/47
IPC分类号 ：
G01N21/47
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量；测试
G01N
借助于测定材料的化学或物理性质来测试或分析材料
G01N21/00
利用光学手段，即利用亚毫米波、红外光、可见光或紫外光来测试或分析材料
G01N21/17
入射光根据所测试的材料性质而改变的系统
G01N21/47
散射，即漫反射
法律状态
1996-07-17 ：
专利权的终止未缴年费专利权终止
1993-06-16 ：
授权
1992-03-04 ：
公开
1992-02-12 ：
实质审查请求已生效的专利申请
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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