单向场发生器
专利申请的视为撤回
摘要
一种用于在一基片上沉积磁性材料的装置采用由永久磁体片形成的磁体组件，它能产生一同轴磁场，该磁体组件最好由陶瓷块构成，这些块相互粘接以形成一个拱形结构条。永久磁体条位于沉积舱的外部，其位置能使磁力线穿透位于舱内的工件或垫片。
基本信息
专利标题 ：
单向场发生器
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1083870A
申请号 ：
CN93108156.4
公开（公告）日 ：
1994-03-16
申请日 ：
1993-07-09
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
华-钦·冬约翰·J·纽曼宏-山·J·吴
申请人 ：
里德-莱特公司
申请人地址 ：
美国加利福尼亚
代理机构 ：
中国国际贸易促进委员会专利代理部
代理人 ：
陆立英
优先权 ：
CN93108156.4
主分类号 ：
C23C14/35
IPC分类号 ：
C23C14/35
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C14/00
通过覆层形成材料的真空蒸发、溅射或离子注入进行镀覆
C23C14/22
以镀覆工艺为特征的
C23C14/34
溅射
C23C14/35
利用磁场的，例如磁控溅射
法律状态
1996-05-29 ：
专利申请的视为撤回
1994-03-16 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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