二维非线性光学超晶格光学双稳器件及其制法
专利申请的视为撤回
摘要
一种二维非线性光学超晶格双稳器件及其制法用具有较大克尔效应系数的晶体，内部刻有体光栅结构，其光栅常数为入。晶体可以在钽酸锂，磷酸二氢钾，铌酸锂，钛酸钡，钽酸钠以及掺铁、钴以上晶体中选择，还可以在ADP、钛酸锂等中选择，制造二维非线性光学超晶格双稳态器件的方法可用深层同步X光刻技术、离子束蚀刻等方法，对于具有光折变性质的晶体又可用常规体全息光栅写入法及热固定技术，本发明可用于光开关器件。
基本信息
专利标题 ：
二维非线性光学超晶格光学双稳器件及其制法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1139764A
申请号 ：
CN93115082.5
公开（公告）日 ：
1997-01-08
申请日 ：
1993-11-26
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
闵乃本徐斌王振林
申请人 ：
南京大学
申请人地址 ：
210008江苏省南京市汉口路南京大学
代理机构 ：
南京大学专利事务所
代理人 ：
陈建和
优先权 ：
CN93115082.5
主分类号 ：
G02F3/02
IPC分类号 ：
G02F3/02
IPC结构图谱
G
G部——物理
G02
光学
G02F
用于控制光的强度、颜色、相位、偏振或方向的器件或装置，例如转换、选通、调制或解调，上述器件或装置的光学操作是通过改变器件或装置的介质的光学性质来修改的；用于上述操作的技术或工艺；变频；非线性光学；光学逻辑元件；光学模拟/数字转换器
G02F3/00
光学逻辑元件；光学双稳态装置
G02F3/02
光双稳态装置
法律状态
1997-11-19 ：
专利申请的视为撤回
1997-01-08 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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