太阳能电池制造中同时形成硅片绒面及PN结的方法

专利权的终止

摘要

本发明提供一种在硅片表面同时形成绒面结构和PN结的方法。用低压化学汽相淀积(LPCVD)方法，在同一设备中同时在硅片表面上生成半球形硅晶粒薄层构成的粗糙绒面结构，和在低温下进行N－型杂质扩散，例如，磷扩散，P－型硅片中形成N－阱，形成PN结。

基本信息

专利标题：

太阳能电池制造中同时形成硅片绒面及PN结的方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN1937259A

申请号：

CN200510030005.X

公开（公告）日：

2007-03-28

申请日：

2005-09-23

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

衣冠君苏晓平江彤

申请人：

中芯国际集成电路制造（上海）有限公司

申请人地址：

201203上海市浦东新区张江路18号

代理机构：

上海新高专利商标代理有限公司

代理人：

楼仙英

优先权：

CN200510030005.X

主分类号：

H01L31/18

IPC分类号：

H01L31/18

法律状态

2019-09-10 ：

专利权的终止

未缴年费专利权终止IPC(主分类) : H01L 31/18
申请日 : 20050923
授权公告日 : 20090408
终止日期 : 20180923

2012-01-04 ：

专利申请权、专利权的转移

专利权的转移号牌文件类型代码 : 1602
号牌文件序号 : 101259716566
IPC(主分类) : H01L 31/18
专利号 : ZL200510030005X
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
变更后权利人 : 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 201203 上海市浦东新区张江路18号
变更后权利人 : 201203 上海市浦东新区张江路18号
变更事项 : 共同专利权人
变更前权利人 : 无
变更后权利人 : 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
登记生效日 : 20111129

2009-04-08 ：

授权

2007-05-23 ：

实质审查的生效

2007-03-28 ：

公开

注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。

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