用低温氮气/氢气灰化制程减少聚合物残余的方法

专利申请权、专利权的转移

摘要

本发明提供一种用低温氮气/氢气灰化制程减少聚合物残余的方法，传统的清洗方法，一般在沟道蚀刻完成之后直接进行湿式清洗制程，根据本发明的方法，在沟道蚀刻完成之后，先在室温下进行氮气/氢气灰化制程，然后进行湿式清洗制程。应用本发明的方法能够完全去除所述的聚合物残余，从而提高半导体器件的性能；并且应用此方法后对湿式清洗所用清洗剂的选择上更加自由，使清洗制程的适应性更加宽泛；另外，此种方法不会损伤低介电常数材料，不会使其介电常数升高。

基本信息

专利标题：

用低温氮气/氢气灰化制程减少聚合物残余的方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN1940731A

申请号：

CN200510030301.X

公开（公告）日：

2007-04-04

申请日：

2005-09-29

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

杨华郑莲晃韩秋华韩蕴高昀成

申请人：

中芯国际集成电路制造（上海）有限公司

申请人地址：

201203上海市浦东新区张江高科技园区张江路18号

代理机构：

上海新高专利商标代理有限公司

代理人：

楼仙英

优先权：

CN200510030301.X

主分类号：

G03F7/42

IPC分类号：

G03F7/42 G03F7/26

IPC结构图谱

G部——物理

G03

摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术

G03F

图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备

G03F7/00

图纹面，例如，印刷表面的照相制版如光刻工艺；图纹面照相制版用的材料，如：含光致抗蚀剂的材料；图纹面照相制版的专用设备

G03F7/26

感光材料的处理及其设备

G03F7/42

剥离或剥离剂

法律状态

2012-01-04 ：

专利申请权、专利权的转移

专利权的转移号牌文件类型代码 : 1602
号牌文件序号 : 101259716564
IPC(主分类) : G03F 7/42
专利号 : ZL200510030301X
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
变更后权利人 : 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 201203 上海市浦东新区张江高科技园区张江路18号
变更后权利人 : 201203 上海市浦东新区张江高科技园区张江路18号
变更事项 : 共同专利权人
变更前权利人 : 无
变更后权利人 : 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
登记生效日 : 20111129

2009-08-26 ：

授权

2007-05-30 ：

实质审查的生效

2007-04-04 ：

公开

注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。

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