一种硅基氧化锌紫外电致发光器件及其制备方法
专利权的终止
摘要
本发明公开了一种硅基氧化锌紫外电致发光器件及其制备方法。该器件在硅衬底的正面自下而上依次沉积ZnO薄膜、SiO2薄膜和电极，在硅衬底背面沉积欧姆接触电极。其制备步骤如下：先将N型硅片清洗后放入直流反应磁控溅射装置的反应室中，反应室抽真空，以Zn为靶材，以O2和Ar作为溅射气氛，进行溅射生长，得到ZnO薄膜；然后用化学气相沉积法或蒸发法或溅射法或溶胶－凝胶方法在ZnO薄膜上沉积SiO2薄膜；再在SiO2薄膜上溅射电极，在硅衬底背面溅射欧姆接触电极。本发明器件的结构和实现方式简单，不需要采用P型ZnO薄膜，因而避开了ZnO薄膜P型掺杂困难的问题。且制备方法所用的设备与现行成熟的硅器件平面工艺兼容。
基本信息
专利标题 ：
一种硅基氧化锌紫外电致发光器件及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1787246A
申请号 ：
CN200510061603.3
公开（公告）日 ：
2006-06-14
申请日 ：
2005-11-18
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
马向阳杨德仁陈培良阙端麟
申请人 ：
浙江大学
申请人地址 ：
310027浙江省杭州市西湖区浙大路38号
代理机构 ：
杭州求是专利事务所有限公司
代理人 ：
韩介梅
优先权 ：
CN200510061603.3
主分类号 ：
H01L33/00
IPC分类号 ：
H01L33/00 H01S5/00
法律状态
2014-01-08 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101560123352
IPC(主分类) : H01L 33/00
专利号 : ZL2005100616033
申请日 : 20051118
授权公告日 : 20071205
终止日期 : 20121118
号牌文件序号 : 101560123352
IPC(主分类) : H01L 33/00
专利号 : ZL2005100616033
申请日 : 20051118
授权公告日 : 20071205
终止日期 : 20121118
2007-12-05 ：
授权
2006-08-09 ：
实质审查的生效
2006-06-14 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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