修改制作电路的方法
发明专利申请公布后的视为撤回
摘要
本发明有关于一种修改制作电路的方法，主要是于基材〔例如：集成电路〕上选择欲相连接的数个目标电极，运用聚焦离子束〔Focused ionbeam；FIB〕或激光将目标电极上各种半导体制程使用的材料〔如：导电层、半导体层、绝缘层等〕去除，形成接触孔洞，露出目标电极，再利用聚焦离子束或激光伴随化学气相沉积〔deposition〕的方式于接触孔洞中形成导电桥墩〔pier〕，再放置导电黏稠材料于各导电桥墩之上，以能于各导电桥墩之间利用该导电黏稠材料连接导电桥面〔floor of a bridge；如：以导电黏稠材料直接形成该导电桥面、或金属线、或电子元件等任何导电物体〕，既可获得低电阻的导电桥面，或可以增加电子元件于既有电路中，以进行修改制作电路的方法。
基本信息
专利标题 ：
修改制作电路的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1992196A
申请号 ：
CN200510097138.9
公开（公告）日 ：
2007-07-04
申请日 ：
2005-12-30
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
余维斌廖永顺廖兴盛
申请人 ：
宜特科技股份有限公司
申请人地址 ：
台湾省新竹市
代理机构 ：
北京三友知识产权代理有限公司
代理人 ：
党晓林
优先权 ：
CN200510097138.9
主分类号 ：
H01L21/768
IPC分类号 ：
H01L21/768
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70
由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L21/71
限定在组H01L21／70中的器件的特殊部件的制造
H01L21/768
利用互连在器件中的分离元件间传输电流
法律状态
2009-01-14 ：
发明专利申请公布后的视为撤回
2007-08-29 ：
实质审查的生效
2007-07-04 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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