集成电路制造的扫描电子显微镜的样品结构及其制备方法

专利权的终止

摘要

本发明提供了一种使用校准基准的方法。该方法包括提供校准基准。在特定实施例中，校准基准具有衬底、一定厚度的具有边缘区域的材料；和部署在边缘区域上的均匀厚度的保形材料。基准还具有位于边缘区域上具有均匀厚度的上表面图样。该方法还包括使用上表面图样进行扫描电子显微镜的校准过程。

基本信息

专利标题：

集成电路制造的扫描电子显微镜的样品结构及其制备方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN1967774A

申请号：

CN200510110573.0

公开（公告）日：

2007-05-23

申请日：

2005-11-17

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

万旭东郭力奇王邕保

申请人：

中芯国际集成电路制造（上海）有限公司

申请人地址：

201203上海市浦东新区张江路18号

代理机构：

北京东方亿思知识产权代理有限责任公司

代理人：

陈红

优先权：

CN200510110573.0

主分类号：

H01L21/00

IPC分类号：

H01L21/00 H01L21/66 G01B15/00 G01N23/04 H01J37/28

相关图片

IPC结构图谱

H部——电学

H01

基本电气元件

H01L

半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件

H01L21/00

专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备

法律状态

2019-11-05 ：

专利权的终止

未缴年费专利权终止IPC(主分类) : H01L 21/00
申请日 : 20051117
授权公告日 : 20090422
终止日期 : 20181117

2012-01-04 ：

专利申请权、专利权的转移

专利权的转移号牌文件类型代码 : 1602
号牌文件序号 : 101260313369
IPC(主分类) : H01L 21/00
专利号 : ZL2005101105730
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
变更后权利人 : 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 201203 上海市浦东新区张江路18号
变更后权利人 : 201203 上海市浦东新区张江路18号
变更事项 : 共同专利权人
变更前权利人 : 无
变更后权利人 : 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
登记生效日 : 20111129

2009-04-22 ：

授权

2007-07-18 ：

实质审查的生效

2007-05-23 ：

公开

注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。

文件下载

1、

CN100481317C.PDF

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2、

CN1967774A.PDF

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