一种可降低量子点激发电压的复合薄膜制备方法
专利权的终止
摘要
本发明涉及一种可降低量子点激发电压的复合薄膜制备方法，属于先进光电材料技术领域。本发明通过引入高介电常数的铁电材料与发光量子点交替共沉积，获得量子点镶嵌于铁电薄膜中的复合结构，利用其局域场效应，大幅提高了量子点内的电场强度，利用硫磺做保护层进行真空热处理，有效地防止了热处理过程中硫的损失，保证了量子点具有完整的结构。从而达到了降低量子点激发的电压的目的，大大拓展电致发光薄膜材料及器件的应用领域。
基本信息
专利标题 ：
一种可降低量子点激发电压的复合薄膜制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1805633A
申请号 ：
CN200510111202.4
公开（公告）日 ：
2006-07-19
申请日 ：
2005-12-07
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
孙林林石旺舟马学鸣
申请人 ：
华东师范大学
申请人地址 ：
200062上海市中山北路3663号
代理机构 ：
上海德昭知识产权代理有限公司
代理人 ：
程宗德
优先权 ：
CN200510111202.4
主分类号 ：
H05B33/10
IPC分类号 ：
H05B33/10 H05B33/14 C09K11/08
法律状态
2012-02-15 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101183909683
IPC(主分类) : H05B 33/10
专利号 : ZL2005101112024
申请日 : 20051207
授权公告日 : 20080827
终止日期 : 20101207
号牌文件序号 : 101183909683
IPC(主分类) : H05B 33/10
专利号 : ZL2005101112024
申请日 : 20051207
授权公告日 : 20080827
终止日期 : 20101207
2008-08-27 ：
授权
2006-09-13 ：
实质审查的生效
2006-07-19 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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