一种利用自衬底触发NPN型三极管的防静电保护电路结构
发明专利申请公布后的视为撤回
摘要
本发明公开了一种利用NPN型三极管的防静电保护电路结构，使用自衬底触发NPN型三极管作为静电保护的基本器件构成电路时，NPN型三极管为偶数个且至少为四个，该NPN型三极管集电极都并联，保护管电路中央设置一对NPN型三极管且其基极、发射极并联，并与其余两边的NPN型三极管的基极相连，其余两边的NPN型三极管的发射极并联接地；当居中的NPN的基极与发射极PN结正向导通时，其电流会分流到与其相连的两端的NPN的基极中，而使两侧的NPN的基极与发射极极短的时间内正向导通；当居中的NPN的基极与发射极PN结正向导通时，其电流会分流到与其相连的两端的NPN的基极中。本发明可以解决在HV工艺下使用NPN作为ESD保护时，ESD保护能力不高的问题。
基本信息
专利标题 ：
一种利用自衬底触发NPN型三极管的防静电保护电路结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1979861A
申请号 ：
CN200510111281.9
公开（公告）日 ：
2007-06-13
申请日 ：
2005-12-08
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
金锋苏庆徐向明
申请人 ：
上海华虹NEC电子有限公司
申请人地址 ：
201206上海市浦东新区川桥路1188号
代理机构 ：
上海浦一知识产权代理有限公司
代理人 ：
丁纪铁
优先权 ：
CN200510111281.9
主分类号 ：
H01L27/082
IPC分类号 ：
H01L27/082 H01L23/60 H02H9/00
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27/04
其衬底为半导体的
H01L27/08
只包括有一种半导体组件的
H01L27/082
只包含双极型的组件
法律状态
2009-03-11 ：
发明专利申请公布后的视为撤回
2007-08-08 ：
实质审查的生效
2007-06-13 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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