本发明涉及微电子技术领域，它提供一种控制晶片上的直流偏压的装置，包括下电极、静电吸附电极，射频电源、射频匹配器、直流电源、滤波器，射频电源连接到射频匹配器，射频匹配器直接或通过射频电容器与下电极连接，直流电源通过滤波器与静电吸附电极连接，还设有峰值检测电路和射频控制装置，峰值检测电路与下电极连接，射频控制装置分别与峰值检测电路和射频电源连接。本装置可以稳定地控制晶片上的直流偏压的装置；本发明还可以径向调节被刻蚀晶片上的直流偏压，对原有的晶片上的刻蚀速率分布进行补偿，实现均匀的刻蚀速率。