掩膜遮蔽变角度沉积制作纳米周期结构图形的方法
发明专利申请公布后的驳回
摘要
掩膜遮蔽变角度沉积制作纳米周期结构图形的方法，包括以下步骤：利用掩模版进行曝光光刻；根据所要制作纳米结构图形的线宽和周期、光刻胶图形的高度、蒸发源与基片的距离等参数，计算出相应的蒸发源入射角度；调节蒸发入射角依次沉积金属薄膜和牺牲层；剥离光刻胶和牺牲层。本发明主要利用lift－off技术以及金属沉积时光刻胶的遮蔽效应，以角位移来代替纳米精度的线位移，实现纳米图形的制作。利用本发明已经制作出周期为4μm，线宽为250nm，图形区为10mm×10mm的光栅线条。
基本信息
专利标题 ：
掩膜遮蔽变角度沉积制作纳米周期结构图形的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1794093A
申请号 ：
CN200510130719.8
公开（公告）日 ：
2006-06-28
申请日 ：
2005-12-23
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
赵泽宇潘丽杜春雷罗先刚侯德胜
申请人 ：
中国科学院光电技术研究所
申请人地址 ：
610209四川省成都市双流350信箱
代理机构 ：
北京科迪生专利代理有限责任公司
代理人 ：
刘秀娟
优先权 ：
CN200510130719.8
主分类号 ：
G03F7/20
IPC分类号 ：
G03F7/20 H01L21/027
IPC结构图谱
G
G部——物理
G03
摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F
图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F7/00
图纹面，例如，印刷表面的照相制版如光刻工艺；图纹面照相制版用的材料，如：含光致抗蚀剂的材料；图纹面照相制版的专用设备
G03F7/20
曝光及其设备
法律状态
2009-11-18 ：
发明专利申请公布后的驳回
2008-03-05 ：
实质审查的生效
2006-06-28 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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