制作纳米孔的方法、纳米孔结构和单纳米孔传感器
实质审查的生效
摘要
本发明公开了制作纳米孔的方法、纳米孔结构和单纳米孔传感器，制作纳米孔的方法，包括：提供硅片；形成第一掩膜层，形成第二掩膜层；形成第一图案化层，第一图案化层包括第一子凹槽；形成第二图案化层；形成第一刻蚀腔；形成第二刻蚀腔；形成金属层；形成第三刻蚀腔，以暴露位于锥尖的金属层；向第一刻蚀腔中加入电解质溶液，向第二刻蚀腔中加入电化学腐蚀溶液；对位于锥尖的金属层进行电化学腐蚀，以形成纳米孔。由此，可便于通过较为简便的方法制得具有极小尺寸的金属纳米孔结构。
基本信息
专利标题 ：
制作纳米孔的方法、纳米孔结构和单纳米孔传感器
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114264800A
申请号 ：
CN202111588323.3
公开（公告）日 ：
2022-04-01
申请日 ：
2021-12-23
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
刘泽文洪浩
申请人 ：
清华大学
申请人地址 ：
北京市海淀区清华园
代理机构 ：
北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
赵静
优先权 ：
CN202111588323.3
主分类号 ：
G01N33/48
IPC分类号 ：
G01N33/48 C23C14/16 C25F3/02 C23C14/58 C23C14/30 C23C14/35 B82Y40/00 B82Y15/00 C23C14/04
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量；测试
G01N
借助于测定材料的化学或物理性质来测试或分析材料
G01N33/208
••涂料，例如镀层
G01N33/48
生物物质，例如血、尿；血球计数器
法律状态
2022-04-19 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : G01N 33/48
申请日 : 20211223
申请日 : 20211223
2022-04-01 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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