制作纳米孔阵列的方法、纳米孔阵列和纳米孔阵列传感器
实质审查的生效
摘要
本发明提出了制作纳米孔阵列的方法、纳米孔阵列和纳米孔阵列传感器，制作纳米孔阵列的方法，包括：提供硅片；形成第一掩膜层，形成第二掩膜层；形成第一图案化层；形成第二图案化层；进行第一湿法刻蚀；进行第二湿法刻蚀；形成功能材料层；对第二刻蚀腔进行第三湿法刻蚀，以形成第三刻蚀腔，暴露位于锥尖的功能材料层；对位于锥尖的功能材料层进行第四刻蚀，以形成多个纳米孔，得到纳米孔阵列。由此，可通过简便的方法制备具有孔径均一、制备流程简便、可重复性高等优点的纳米孔阵列结构。
基本信息
专利标题 ：
制作纳米孔阵列的方法、纳米孔阵列和纳米孔阵列传感器
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114275729A
申请号 ：
CN202111587794.2
公开（公告）日 ：
2022-04-05
申请日 ：
2021-12-23
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
刘泽文洪浩
申请人 ：
清华大学
申请人地址 ：
北京市海淀区清华园
代理机构 ：
北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
赵静
优先权 ：
CN202111587794.2
主分类号 ：
B81B1/00
IPC分类号 ：
B81B1/00 B81C1/00
IPC结构图谱
B
B部——作业；运输
B81
微观结构技术
B81B
微观结构的装置或系统，例如微观机械装置
B81B1/00
不具有活动或柔性元件的装置，例如微毛细管装置
法律状态
2022-04-22 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : B81B 1/00
申请日 : 20211223
申请日 : 20211223
2022-04-05 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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