SiOx粒子的制造方法
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摘要
本发明涉及内部存在晶体硅的SiOx粒子的制造方法、用该制法得到的SiOx粉末、成型体、由该成型体得到的半导体元件、发光元件。本发明通过SiOx粒子制造方法提供一种可用作半导体元件的纳米级的晶体硅粒，该SiOx粒子制造方法的特征在于，对内部存在粒径0.5～5nm的非晶硅粒的SiOx(x为0.5以上、小于2.0)粒子照射光，优选照射激光，生成内部存在粒径1～10nm的晶体硅粒的SiOx粒子(x为0.5以上、小于2.0)。本发明作为新型的发光元件或电子器件等功能性材料，可适用于多种用途，在产业上非常有用。
基本信息
专利标题 ：
SiOx粒子的制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101035742A
申请号 ：
CN200580032594.3
公开（公告）日 ：
2007-09-12
申请日 ：
2005-09-22
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
野崎真次内田和男森崎弘川崎卓伊吹山正浩
申请人 ：
国立大学法人电气通信大学;电气化学工业株式会社
申请人地址 ：
日本东京
代理机构 ：
中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
代理人 ：
陈昕
优先权 ：
CN200580032594.3
主分类号 ：
C01B33/18
IPC分类号 ：
C01B33/18 C01B33/113
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C01
无机化学
C01B
非金属元素；其化合物
C01B33/00
硅; 其化合物
C01B33/113
氧化硅；其水合物
C01B33/12
硅石；其水合物，如勒皮硅酸
C01B33/18
既非溶胶态又非凝胶态的细分散硅石的制备；其后处理
法律状态
2011-01-12 ：
授权
2007-11-07 ：
实质审查的生效
2007-09-12 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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