微粒子沉积装置、微粒子沉积方法及发光元件的制造方法
专利权的终止
摘要
本发明公开了一种微粒子沉积装置及微粒子沉积方法。目的是提供一种无杂质混入(均质)地仅沉积所希望尺寸的微粒子的微粒子沉积物。微粒子在溶剂中分散形成的溶液以微细液滴流从毛细管前端喷出，且使被喷出的微细液滴带电。该液滴流通过喷嘴导入减压室内成为自由喷流。将在减压室内行进的自由喷流，通过设置在维持高真空的成膜室的分离器喷嘴导入到内部成为带电微粒子流。接着，通过能量分离装置，仅选择带电微粒子流中的微粒子里具有特定能量的微粒子，并沉积到设置在内部的被沉积体上。
基本信息
专利标题 ：
微粒子沉积装置、微粒子沉积方法及发光元件的制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101069275A
申请号 ：
CN200580041287.1
公开（公告）日 ：
2007-11-07
申请日 ：
2005-10-21
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
小林哲谷由纪
申请人 ：
HOYA株式会社
申请人地址 ：
日本东京都
代理机构 ：
北京市柳沈律师事务所
代理人 ：
陶凤波
优先权 ：
CN200580041287.1
主分类号 ：
H01L21/368
IPC分类号 ：
H01L21/368 H01L29/06 H01L33/00
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/34
具有H01L21/06，H01L21/16及H01L21/18各组不包含的或有或无杂质，例如掺杂材料的半导体的器件
H01L21/36
半导体材料在基片上的沉积，例如外延生长
H01L21/368
应用液体沉积的
法律状态
2013-12-04 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101550522222
IPC(主分类) : H01L 21/368
专利号 : ZL2005800412871
申请日 : 20051021
授权公告日 : 20090408
终止日期 : 20121021
号牌文件序号 : 101550522222
IPC(主分类) : H01L 21/368
专利号 : ZL2005800412871
申请日 : 20051021
授权公告日 : 20090408
终止日期 : 20121021
2009-04-08 ：
授权
2008-01-02 ：
实质审查的生效
2007-11-07 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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