等离子体排放装置中的介电部件的热控制

专利权的终止

摘要

提供了一种等离子体排放装置，其具有改进所述装置中的介电材料的热控制和保护的结构。本发明大体包括等离子体约束室，其至少部分地由介电材料构成，而冷却设备安置成与所述室的介电表面接触，以便大致均匀的散热。所述冷却设备可被嵌入包封材料中，其改进了从介电等离子体室吸热的均匀性。通过改进从等离子体排放装置的介电室吸热的均匀性，本发明允许了等离子体排放装置在显著提高的能量级别上的可靠的操作。

基本信息

专利标题：

等离子体排放装置中的介电部件的热控制

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN101057319A

申请号：

CN200580038869.4

公开（公告）日：

2007-10-17

申请日：

2005-10-14

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

贾斯廷·莫克史蒂夫·狄龙胡安·何塞·冈萨雷斯安德鲁·沙巴林

申请人：

先进能源工业公司

申请人地址：

美国科罗拉多州

代理机构：

永新专利商标代理有限公司

代理人：

蔡胜利

优先权：

CN200580038869.4

主分类号：

H01L21/306

IPC分类号：

H01L21/306 C23C16/00

IPC结构图谱

H部——电学

H01

基本电气元件

H01L

半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件

H01L21/00

专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备

H01L21/02

半导体器件或其部件的制造或处理

H01L21/04

至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层

H01L21/18

器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料

H01L21/30

用H01L21/20至H01L21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的

H01L21/302

改变半导体材料的表面物理特性或形状的，例如腐蚀、抛光、切割

H01L21/306

化学或电处理，例如电解腐蚀

法律状态

2011-12-21 ：

专利权的终止

未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101156317585
IPC(主分类) : H01L 21/306
专利号 : ZL2005800388694
申请日 : 20051014
授权公告日 : 20090617
终止日期 : 20101014

2009-06-17 ：

授权

2007-12-12 ：

实质审查的生效

2007-10-17 ：

公开

注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。

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1、

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2、

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