电子装置及其制造方法

专利权的终止

摘要

制造在基材上设有含有导电性高分子的透明导电膜的电子装置的方法，所述透明导电膜具有第1区域及与所述第1区域相邻且电阻值比第1区域高的第2区域，该方法具有在所述基材上形成含有所述导电性高分子的所述透明导电膜的成膜工序，以及对所述透明导电膜的一部分照射紫外线，将照射部分作为所述第2区域，将非照射部分作为第1区域的紫外线照射工序，所述紫外线照射工序中，所述紫外线包括在导电性高分子的吸收图谱中吸光度为背景吸收2倍以上的吸收所示的波长。

基本信息

专利标题：

电子装置及其制造方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN101084558A

申请号：

CN200580043983.6

公开（公告）日：

2007-12-05

申请日：

2005-12-27

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

大森喜和子田边信夫小野朗伸

申请人：

株式会社藤仓

申请人地址：

日本东京都

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司

代理人：

苗堃

优先权：

CN200580043983.6

主分类号：

H01B13/00

IPC分类号：

H01B13/00