将电路转移到接地层的方法
专利申请权、专利权的转移
摘要
本发明涉及一种用于制造半导体结构的方法，包括：a)在衬底的表面层(2)内或表面层上制造至少部分电路，包括上述的表面层(2)，在表面层下的掩埋层(4)，和用作第一支撑体的下层(6)，b)将这个衬底转移到操作基片(20)上，然后去除第一支撑体(6)，c)在掩埋层(4)上形成导电层(14)或构成接地层的层，d)在这个导电层(14)或构成接地层的层上形成接合层(12)，e)将获得的结构转移到第二支撑体(30)上并去除操作基片(20)。
基本信息
专利标题 ：
将电路转移到接地层的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101088153A
申请号 ：
CN200580044396.9
公开（公告）日 ：
2007-12-12
申请日 ：
2005-12-22
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
贝尔纳·阿斯帕尔
申请人 ：
特拉希特技术公司
申请人地址 ：
法国穆瓦朗
代理机构 ：
北京康信知识产权代理有限责任公司
代理人 ：
章社杲
优先权 ：
CN200580044396.9
主分类号 ：
H01L21/762
IPC分类号 ：
H01L21/762
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70
由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L21/71
限定在组H01L21／70中的器件的特殊部件的制造
H01L21/76
组件间隔离区的制作
H01L21/762
介电区
法律状态
2010-09-08 ：
专利申请权、专利权的转移
专利权的转移号牌文件类型代码 : 1602
号牌文件序号 : 101007358576
IPC(主分类) : H01L 21/762
专利号 : ZL2005800443969
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 特拉希特技术公司
变更后权利人 : S.O.I.泰克绝缘体硅技术公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 法国穆瓦朗
变更后权利人 : 法国伯尼恩
登记生效日 : 20100728
号牌文件序号 : 101007358576
IPC(主分类) : H01L 21/762
专利号 : ZL2005800443969
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 特拉希特技术公司
变更后权利人 : S.O.I.泰克绝缘体硅技术公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 法国穆瓦朗
变更后权利人 : 法国伯尼恩
登记生效日 : 20100728
2009-09-23 ：
授权
2008-02-06 ：
实质审查的生效
2007-12-12 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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