影像传感器的制造方法
发明专利申请公布后的视为撤回
摘要
本发明提出一种影像传感器的制造方法，影像传感器是在一半导体基底上制作，半导体基底具包括一传感器阵列。首先，于半导体基底上形成第一平坦层。接着，于第一平坦层上形成彩色滤光阵列。然后，于彩色滤光阵列上形成第二平坦层。接下来，于第二平坦层上形成多个聚光镜。之后，以四乙氧基硅烷为反应气体源进行一个等离子增强型化学气相沉积制造工艺，于些聚光镜及第二平坦层上形成共形的保护层，保护层是在射频功率为250瓦～450瓦且四乙氧基硅烷的通量为每分钟150～500毫克的环境下形成。
基本信息
专利标题 ：
影像传感器的制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101009244A
申请号 ：
CN200610004561.4
公开（公告）日 ：
2007-08-01
申请日 ：
2006-01-27
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
柯登渊曾国伦廖河松曾文良孙国峰陈孟聪
申请人 ：
联华电子股份有限公司
申请人地址 ：
中国台湾新竹科学工业园区
代理机构 ：
北京市柳沈律师事务所
代理人 ：
陶凤波
优先权 ：
CN200610004561.4
主分类号 ：
H01L21/822
IPC分类号 ：
H01L21/822
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70
由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L21/77
在公共衬底中或上面形成的由许多固态元件或集成电路组成的器件的制造或处理
H01L21/78
把衬底连续地分成多个独立的器件
H01L21/82
制造器件，例如每一个由许多元件组成的集成电路
H01L21/822
衬底是采用硅工艺的半导体的
法律状态
2009-06-03 ：
发明专利申请公布后的视为撤回
2007-09-26 ：
实质审查的生效
2007-08-01 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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