影像传感器
授权
摘要
本发明公开一种影像传感器，包括第一光电二极管，形成于第一基板中。第一深沟槽隔离结构在第一基板中且围绕第一光电二极管。含有第一电路结构的第一内介电层在第一基板上。粘合层在第一内介电层及第二内介电层上。含有第二电路结构的第二内介电层在粘合层上。连接壁设置在第一内介电层、粘合层及第二内介电层中，实体连接第一电路结构及第二电路结构。第二基板设置在第二内介电层上。第二光电二极管形成在第二基板中。第二深沟槽隔离结构在第二基板且围绕所述第二光电二极管。
基本信息
专利标题 ：
影像传感器
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN111048535A
申请号 ：
CN201811196686.0
公开（公告）日 ：
2020-04-21
申请日 ：
2018-10-15
授权号 ：
CN111048535B
授权日 ：
2022-06-07
发明人 ：
谢丞聿
申请人 ：
联华电子股份有限公司
申请人地址 ：
中国台湾新竹市
代理机构 ：
北京市柳沈律师事务所
代理人 ：
陈小雯
优先权 ：
CN201811196686.0
主分类号 ：
H01L27/146
IPC分类号 ：
H01L27/146
法律状态
2022-06-07 ：
授权
2020-05-15 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 27/146
申请日 : 20181015
申请日 : 20181015
2020-04-21 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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