真空处理装置及其使用方法
专利权的终止
摘要
本发明提供一种真空处理系统，包括用于收容被处理体并在真空状态下对其进行处理的处理腔室。所述处理腔室包括排气系统和气体供给系统。在所述处理腔室外并且与所述处理腔室内选择性地连接的空间内，配置有产生负离子的负离子发生器。在所述处理腔室内配置有用于使所述被处理体形成为带负电的状态的负电荷施放器。
基本信息
专利标题 ：
真空处理装置及其使用方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1819113A
申请号 ：
CN200610007445.8
公开（公告）日 ：
2006-08-16
申请日 ：
2006-02-10
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
齐藤美佐子林辉幸小宫隆行
申请人 ：
东京毅力科创株式会社
申请人地址 ：
日本东京
代理机构 ：
北京纪凯知识产权代理有限公司
代理人 ：
龙淳
优先权 ：
CN200610007445.8
主分类号 ：
H01L21/00
IPC分类号 ：
H01L21/00 H01L21/02 H01L21/3065 H01L21/31 C23C16/44 C23C14/22 C23F4/00
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
法律状态
2013-04-03 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101428317757
IPC(主分类) : H01L 21/00
专利号 : ZL2006100074458
申请日 : 20060210
授权公告日 : 20080910
终止日期 : 20120210
号牌文件序号 : 101428317757
IPC(主分类) : H01L 21/00
专利号 : ZL2006100074458
申请日 : 20060210
授权公告日 : 20080910
终止日期 : 20120210
2008-09-10 ：
授权
2006-10-11 ：
实质审查的生效
2006-08-16 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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