半导体激光近、远场分布观测装置
发明专利申请公布后的视为撤回
摘要
半导体激光近、远场分布观测装置属于半导体激光器器件测试技术领域。现有技术是将激光近、远场分布光斑转换为电信号后进行测试，缺乏直观性；另外，在远场分布测试上缺乏确定的方案，在列阵芯片测试方面手段欠便捷，效率低。本发明采用光学透镜系统和变像管这两个主要观测部件，并可构成两种工作状态，从而可以通过肉眼直接观测，包括单芯、阵列芯片的近、远场分布。本发明可应用半导体物理的教学和科研领域，还可以应用于半导体激光器器件的生产领域。
基本信息
专利标题 ：
半导体激光近、远场分布观测装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1821798A
申请号 ：
CN200610007505.6
公开（公告）日 ：
2006-08-23
申请日 ：
2006-02-13
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
王晓华王勇赵英杰姜晓光刘波
申请人 ：
长春理工大学
申请人地址 ：
130022吉林省长春市朝阳区卫星路7089号
代理机构 ：
中国兵器工业集团公司专利中心
代理人 ：
曲博
优先权 ：
CN200610007505.6
主分类号 ：
G01R31/26
IPC分类号 ：
G01R31/26 G01N21/84 H01L33/00
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量；测试
G01R
测量电变量；测量磁变量
G01R31/26
•单个半导体器件的测试
法律状态
2009-03-25 ：
发明专利申请公布后的视为撤回
2006-10-18 ：
实质审查的生效
2006-08-23 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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