一种制备太阳能级多晶硅的方法
专利权的终止
摘要
本发明涉及一种制备太阳能级多晶硅的方法，采用冶金级硅作为原料，经破磨后得粒度为50目以上的硅粉物料，硅粉物料分别用浓度为1－6mol/l的盐酸、浓度为0.5－6mol/l的硝酸和浓度为1－5mol/l的氢氟酸进行酸浸处理，酸浸后加入真空炉内进行真空精炼处理，真空精炼分两阶段，第一阶段为真空氧化精炼，控制炉内温度为1430－1500℃，真空度为90000－1000Pa，第二阶段，即真空蒸馏精炼和真空脱气阶段，控制炉子真空度10－2－10－5Pa，温度1430－1500℃，最后经定向凝固及切头处理，获得太阳能级多晶硅产品。其硅的纯度为99.9999％以上，比电阻超过0.4Ω·cm，以满足太阳能电池行业所需硅原料的要求。
基本信息
专利标题 ：
一种制备太阳能级多晶硅的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1803598A
申请号 ：
CN200610010654.8
公开（公告）日 ：
2006-07-19
申请日 ：
2006-01-25
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
马文会戴永年杨斌王华刘大春徐宝强李伟宏杨部正刘永成汪竞福周晓奎
申请人 ：
昆明理工大学
申请人地址 ：
650031云南省昆明市学府路253号
代理机构 ：
昆明慧翔专利事务所
代理人 ：
程韵波
优先权 ：
CN200610010654.8
主分类号 ：
C01B33/037
IPC分类号 ：
C01B33/037
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C01
无机化学
C01B
非金属元素；其化合物
C01B33/00
硅; 其化合物
C01B33/02
硅
C01B33/037
纯化
法律状态
2013-03-27 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101422521378
IPC(主分类) : C01B 33/037
专利号 : ZL2006100106548
申请日 : 20060125
授权公告日 : 20080305
终止日期 : 20120125
号牌文件序号 : 101422521378
IPC(主分类) : C01B 33/037
专利号 : ZL2006100106548
申请日 : 20060125
授权公告日 : 20080305
终止日期 : 20120125
2008-03-05 ：
授权
2006-09-13 ：
实质审查的生效
2006-07-19 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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