调节磁控溅射反应气体分压制备Ti－Si－N膜的方法
发明专利申请公布后的视为撤回
摘要
一种薄膜技术领域的调节磁控溅射反应气体分压制备Ti－Si－N膜的方法。本发明采用直流反应磁控溅射，溅射靶为Ti－Si镶嵌靶，工作气氛为氮气和氩气的混合气氛，Ti－Si镶嵌靶上Ti、Si有效溅射面积比固定，总工作气压固定，通过在0.002Pa－0.04Pa之间改变氮气分压，制备得到Ti－Si－N纳米复合膜。本发明可以简化原有的工艺方法，仅通过改变一种反应气体的气体分压就可方便地控制膜层的成分、微观组织结构和力学性能，具有较强的实用性。
基本信息
专利标题 ：
调节磁控溅射反应气体分压制备Ti－Si－N膜的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1804113A
申请号 ：
CN200610023448.0
公开（公告）日 ：
2006-07-19
申请日 ：
2006-01-19
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
蔡珣徐晔陈秋龙沈耀胡亚威
申请人 ：
上海交通大学
申请人地址 ：
200240上海市闵行区东川路800号
代理机构 ：
上海交达专利事务所
代理人 ：
王锡麟
优先权 ：
CN200610023448.0
主分类号 ：
C23C14/35
IPC分类号 ：
C23C14/35 C23C14/14 C23C14/56 C23C14/54
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C14/00
通过覆层形成材料的真空蒸发、溅射或离子注入进行镀覆
C23C14/22
以镀覆工艺为特征的
C23C14/34
溅射
C23C14/35
利用磁场的，例如磁控溅射
法律状态
2008-09-03 ：
发明专利申请公布后的视为撤回
2006-09-13 ：
实质审查的生效
2006-07-19 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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