基于非晶FeCuNbCrSiB磁性薄膜的螺线管微电感器件...
专利权的终止
摘要

一种微电子技术领域的基于非晶FeCuNbCrSiB磁性薄膜的螺线管微电感器件的制作方法,方法如下:制作双面套刻符号;溅射底层;甩正胶、曝光、显影;电镀底层线圈、连接导体;去光刻胶和底层;溅射氧化铝薄膜及抛光氧化铝薄膜;溅射FeCuNbCrSiB磁性薄膜和刻蚀FeCuNbSiB磁性薄膜;溅射底层;甩正胶、曝光、显影;电镀连接导体;去正胶和底层;溅射氧化铝薄膜及抛光氧化铝薄膜;溅射底层;甩正胶、曝光、显影;电镀顶层线圈和引脚;去光刻胶和底层;溅射氧化铝薄膜及抛光氧化铝薄膜;磁场退火。本发明解决了线圈的立体绕线和层间的绝缘问题及高深宽比的电镀问题,使得微电感器件的高频性能大大提高,具有广泛的用途。

基本信息
专利标题 :
基于非晶FeCuNbCrSiB磁性薄膜的螺线管微电感器件的制作方法
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN1812020A
申请号 :
CN200610023896.0
公开(公告)日 :
2006-08-02
申请日 :
2006-02-16
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
周勇丁文
申请人 :
上海交通大学
申请人地址 :
200240上海市闵行区东川路800号
代理机构 :
上海交达专利事务所
代理人 :
王锡麟
优先权 :
CN200610023896.0
主分类号 :
H01F41/14
IPC分类号 :
H01F41/14  H01F41/18  C23C14/34  B81C1/00  
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01F
磁体;电感;变压器;磁性材料的选择
H01F41/00
专用于制造或装配磁体、电感器或变压器的设备或方法;专用于制造磁性材料的设备或方法
H01F41/14
用于在基底上施加磁性膜
法律状态
2015-04-01 :
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101604304619
IPC(主分类) : H01F 41/14
专利号 : ZL2006100238960
申请日 : 20060216
授权公告日 : 20090819
终止日期 : 20140216
2009-08-19 :
授权
2006-09-27 :
实质审查的生效
2006-08-02 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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