背入射式石英反射偏振分束光栅及其制备方法
发明专利申请公布后的视为撤回
摘要
一种用于800纳米波段的背入射式石英反射偏振分束光栅及其制备方法，特点是该光栅的周期为356～364纳米、刻蚀深度为1.015～1.025微米，光栅的占空比为1/2。本发明偏振分束光栅的消光比大于100，TE偏振光的0级反射衍射效率和TM偏振光的1级反射衍射效率分别高于99.08％和99.67％，本发明的背入射式石英反射偏振分束器光栅，具有很高的消光比和反射效率，不需要考虑光栅槽形的结构，也不必镀金属膜或介质膜，利用全息光栅记录技术或电子束直写装置结合微电子深刻蚀工艺，可以大批量、低成本地生产，刻蚀后的光栅性能稳定、可靠，是一种重要的偏振分束器。
基本信息
专利标题 ：
背入射式石英反射偏振分束光栅及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1815275A
申请号 ：
CN200610024490.4
公开（公告）日 ：
2006-08-09
申请日 ：
2006-03-08
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
周常河王博
申请人 ：
中国科学院上海光学精密机械研究所
申请人地址 ：
201800上海市800－211邮政信箱
代理机构 ：
上海新天专利代理有限公司
代理人 ：
张泽纯
优先权 ：
CN200610024490.4
主分类号 ：
G02B5/18
IPC分类号 ：
G02B5/18 G02B27/28 G03H1/04 G03F7/00
IPC结构图谱
G
G部——物理
G02
光学
G02B
光学元件、系统或仪器附注
G02B5/00
除透镜外的光学元件
G02B5/18
衍射光栅
法律状态
2008-04-02 ：
发明专利申请公布后的视为撤回
2006-10-04 ：
实质审查的生效
2006-08-09 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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