基片架镀膜装置
专利权的终止
摘要

本实用新型涉及一种基片架镀膜装置,是一种用于磁控溅射镀膜生产线上的基片架镀膜装置。包括基片架、至少一个基片工作室和用于在所述基片工作室内传动所述基片架的工作室传动机构,其中,基片架镀膜装置进一步包括用于连接至少一个基片工作室的主旋转真空室,主旋转真空室内设置用于传动基片架的平移机构以及用于以预定角度旋转平移机构的旋转机构,以便将基片架传送到所需要的工作室。该装置提高了镀膜产品的质量,可实现复杂工艺,使生产线体积更小、加工工艺更灵活,多导轨的设计保证了生产线的生产效率。

基本信息
专利标题 :
基片架镀膜装置
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN200620017974.1
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2006-08-28
授权号 :
CN200981891Y
授权日 :
2007-11-28
发明人 :
许生庄炳河
申请人 :
深圳豪威真空光电子股份有限公司
申请人地址 :
518000广东省深圳市南山区深南大道市高新技术工业村W1A区一楼
代理机构 :
广东国晖律师事务所
代理人 :
徐文涛
优先权 :
CN200620017974.1
主分类号 :
C23C14/35
IPC分类号 :
C23C14/35  
IPC结构图谱
C
C部——化学;冶金
C23
对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C14/00
通过覆层形成材料的真空蒸发、溅射或离子注入进行镀覆
C23C14/22
以镀覆工艺为特征的
C23C14/34
溅射
C23C14/35
利用磁场的,例如磁控溅射
法律状态
2016-10-19 :
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101683478621
IPC(主分类) : C23C 14/35
专利号 : ZL2006200179741
申请日 : 20060828
授权公告日 : 20071128
终止日期 : 20150828
2016-02-03 :
文件的公告送达
号牌文件类型代码 : 1602
号牌文件序号 : 101727282494
IPC(主分类) : C23C 14/35
专利号 : ZL2006200179741
专利申请号 : 2006200179741
收件人 : 深圳豪威真空光电子股份有限公司
文件名称 : 缴费通知书
2007-11-28 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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