抗ESD的集成SOI LIGBT器件单元
专利权的终止
摘要
本实用新型涉及一种集成抗静电损伤二极管的SOI LIGBT器件单元。常规的SOI LIGBT由于高压静电引起栅击穿造成静电损伤。本实用新型包括半导体衬底、隐埋氧化层、漂移区、阱区、阱接触区、阴极区、抗ESD二极管阴极区、栅氧化层、缓冲区、阳极区、阳极接触区、阳极短路点区、场氧区、多晶硅栅极区、栅极隔离氧化层、接触孔和金属电极引线与互连线。本实用新型由于将抗ESD二极管集成在SOI LIGBT器件单元结构之中，使其在无需外接任何器件就具有较强的抗ESD能力，能够显著改善SOI LIGBT器件自我抗ESD保护性能，减小采用该种器件的各种电力电子系统的体积、重量和成本，并提高系统可靠性。
基本信息
专利标题 ：
抗ESD的集成SOI LIGBT器件单元
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN200620103935.3
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2006-05-24
授权号 ：
CN2914330Y
授权日 ：
2007-06-20
发明人 ：
张海鹏徐文杰许杰萍高明煜刘国华徐丽燕
申请人 ：
杭州电子科技大学
申请人地址 ：
310018浙江省杭州市江干区下沙高教园区2号大街
代理机构 ：
杭州求是专利事务所有限公司
代理人 ：
张法高
优先权 ：
CN200620103935.3
主分类号 ：
H01L27/12
IPC分类号 ：
H01L27/12
法律状态
2011-07-27 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101090912343
IPC(主分类) : H01L 27/12
专利号 : ZL2006201039353
申请日 : 20060524
授权公告日 : 20070620
终止日期 : 20100524
号牌文件序号 : 101090912343
IPC(主分类) : H01L 27/12
专利号 : ZL2006201039353
申请日 : 20060524
授权公告日 : 20070620
终止日期 : 20100524
2007-06-20 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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