使用后端工艺的相变电阻器的制造
发明专利申请公布后的视为撤回
摘要
一种相变电阻器器件，具有相变材料(PCM)，其中，相转变发生在PCM的内部而不发生在与接触电极的界面处。为了易于制造，PCM是在其侧边被导电电极部分(200、240)包围的细长线结构(210、215)，并且以CMOS后端工艺形成。可选的是，形成不用电极而直接连接到其它电路部分的器件。在每种情况下，存在使用分隔体作为硬掩模以减小的尺寸形成的具有恒定的直径或截面的PCM线。第一接触电极和第二接触电极通过“一维”PCM层电连接。一维PCM层和第一接触电极之间的接触电阻在第二接触电极处低于所述线的中心或居间部分的电阻。
基本信息
专利标题 ：
使用后端工艺的相变电阻器的制造
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101164176A
申请号 ：
CN200680003162.4
公开（公告）日 ：
2008-04-16
申请日 ：
2006-01-19
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
迈克尔·A·A·因赞特马特吉·H·R·兰赫斯特罗伯图斯·A·M·沃尔特斯汉斯·昆腾
申请人 ：
NXP股份有限公司
申请人地址 ：
荷兰艾恩德霍芬
代理机构 ：
中科专利商标代理有限责任公司
代理人 ：
王新华
优先权 ：
CN200680003162.4
主分类号 ：
H01L45/00
IPC分类号 ：
H01L45/00
法律状态
2010-08-11 ：
发明专利申请公布后的视为撤回
号牌文件类型代码 : 1603
号牌文件序号 : 101003848645
IPC(主分类) : H01L 45/00
专利申请号 : 2006800031624
公开日 : 20080416
号牌文件序号 : 101003848645
IPC(主分类) : H01L 45/00
专利申请号 : 2006800031624
公开日 : 20080416
2008-06-11 ：
实质审查的生效
2008-04-16 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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