磁传感器及其制造方法
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摘要
本发明提供一种小型磁传感器,其在一块半导体基板上配置多个巨大磁阻元件来检测三轴方向的磁场强度。在半导体基板上形成厚膜,在其平坦面上设置构成X轴传感器和Y轴传感器的巨大磁阻元件,另一方面,利用在厚膜上形成的多个槽的斜面来形成构成Z轴传感器的巨大磁阻元件。至于槽的形成,可以采用反应性离子蚀刻或高密度等离子CVD法。且也可以在厚膜与钝化膜之间形成绝缘膜,把它作为阻蚀层利用。也可以把各槽的斜面由第一斜面和第二斜面构成,把感磁部形成在倾斜角大的第二斜面上。为了使各槽的斜面形状和倾斜正确化,也可以形成与巨大磁阻元件的形成没有直接关系的虚拟斜面。
基本信息
专利标题 :
磁传感器及其制造方法
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN101142494A
申请号 :
CN200680008164.2
公开(公告)日 :
2008-03-12
申请日 :
2006-03-15
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
内藤宽佐藤秀树涌井幸夫大村昌良
申请人 :
雅马哈株式会社
申请人地址 :
日本静冈县
代理机构 :
北京市柳沈律师事务所
代理人 :
葛青
优先权 :
CN200680008164.2
主分类号 :
G01R33/09
IPC分类号 :
G01R33/09 H01L43/12
相关图片
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量;测试
G01R
测量电变量;测量磁变量
G01R33/00
测量磁变量的装置或仪器
G01R33/02
测量磁场或磁通量的方向或大小
G01R33/06
采用电磁器件
G01R33/09
磁电阻器件
法律状态
2013-07-10 :
授权
2008-05-07 :
实质审查的生效
2008-03-12 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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