磁传感器和其制造方法
实质审查的生效
摘要
本发明提供一种磁传感器，其具备：树脂层，其具有第1面和与该第1面相对的第2面；和检测规定方向的磁场的磁阻效应部，磁阻效应部至少包含检测第1方向的磁场的第1磁阻效应部，第1方向是与树脂层的第1面正交的方向，在树脂层的第1面形成相对于第1面以规定的角度倾斜的倾斜面，第1磁阻效应部设置于倾斜面。
基本信息
专利标题 ：
磁传感器和其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114487947A
申请号 ：
CN202110960882.6
公开（公告）日 ：
2022-05-13
申请日 ：
2021-08-20
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
太田尚城山崎宽史三浦聪穴川贤吉驹崎洋亮
申请人 ：
TDK株式会社
申请人地址 ：
日本东京都
代理机构 ：
北京尚诚知识产权代理有限公司
代理人 ：
杨琦
优先权 ：
CN202110960882.6
主分类号 ：
G01R33/09
IPC分类号 ：
G01R33/09
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量；测试
G01R
测量电变量；测量磁变量
G01R33/00
测量磁变量的装置或仪器
G01R33/02
测量磁场或磁通量的方向或大小
G01R33/06
采用电磁器件
G01R33/09
磁电阻器件
法律状态
2022-05-31 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : G01R 33/09
申请日 : 20210820
申请日 : 20210820
2022-05-13 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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