本发明涉及用于衬底的化学机械平整化(CMP)的抛光垫、该抛光垫的制造方法及其应用。本发明描述的垫针对抛光规范被定制，其中规范包括(但不局限于)被抛光的材料、芯片设计和结构、芯片密度和图案密度、设备平台以及使用的浆料类型。这些垫可设计成具有专门的具有长程有序或短程有序的聚合物纳米结构，该结构允许进行分子水平调节以实现非常好的热－机械特性。更具体地，垫可设计和制造成使得在垫内存在化学和物理特性的均匀和非均匀的空间分布。另外，这些垫可设计成通过表面工程设计(通过添加固体润滑剂)以及形成具有多个聚合物材料层——这形成平行于抛光面的界面——的低剪切力一体式垫来调节摩擦系数。该垫还具有受控的孔隙率、嵌入磨料、用于浆料传输的抛光面上的新颖凹槽(该凹槽是原位生成的)以及用于终点检测的透明区域。