用于多弧离子镀设备的靶座
专利权的终止
摘要
一种用于多弧离子镀设备的靶座，该靶座为圆柱体，靶座的上端有一凹槽，靶座的中部设有若干个螺纹孔，靶座的下部有螺纹。该靶座采用易加工且导热性能好的铜或其他合金制成，镀膜时将靶材的下端落座在靶座的凹槽里，用螺钉通过靶座中部的螺纹孔将靶材固定，靶座通过其下部的螺纹与法兰连接，法兰在固定在镀膜机上。合金靶材通过该靶座可方便地固定在镀膜机上并改善了合金靶的导热性。
基本信息
专利标题 ：
用于多弧离子镀设备的靶座
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN200720011930.2
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2007-04-29
授权号 ：
CN201033800Y
授权日 ：
2008-03-12
发明人 ：
郭强张利鹏王闯郭文英张钧
申请人 ：
沈阳大学
申请人地址 ：
110044辽宁省沈阳市大东区望花南街21号
代理机构 ：
沈阳东大专利代理有限公司
代理人 ：
戚羽
优先权 ：
CN200720011930.2
主分类号 ：
C23C14/32
IPC分类号 ：
C23C14/32
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C14/00
通过覆层形成材料的真空蒸发、溅射或离子注入进行镀覆
C23C14/22
以镀覆工艺为特征的
C23C14/24
真空蒸发
C23C14/32
爆炸法；蒸发及随后的气化物电离法
法律状态
2010-08-04 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101004347711
IPC(主分类) : C23C 14/32
专利号 : ZL2007200119302
申请日 : 20070429
授权公告日 : 20080312
号牌文件序号 : 101004347711
IPC(主分类) : C23C 14/32
专利号 : ZL2007200119302
申请日 : 20070429
授权公告日 : 20080312
2008-03-12 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
